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NE3512S02-T1C-A
库存编号:NE3512S02-T1C-ACT-ND
California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
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NE3512S02-T1C-A
库存编号:NE3512S02-T1C-ADKR-ND
California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
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NE3512S02-T1C-A
库存编号:NE3512S02-T1C-ATR-ND
California Eastern Laboratories (CEL) RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S020
1起订
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NE3512S02-T1C-A
库存编号:2156-NE3512S02-T1C-A-ND
Rochester Electronics LLC RF MOSFET HFET 2V S020
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NE3512S02-T1C-A
库存编号:86132103
Renesas Electronics CorporationTrans RF MOSFET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R4750
392起订
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NE3512S02-T1C-A Renesas Electronics Corporation RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1-ELEMENT, KU BAND, SILICON, N-CHANNEL, HETERO-JUNCTION FET953
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NE3512S02-T1C-A|CALIFORNIA EASTERN LABORATORIESNE3512S02-T1C-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
NE3512 系列 2 - 18 Ghz +12 至 +18dBm 假晶异质结FET - SO-2
Rohs

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NE3512S02-T1C-A|CELNE3512S02-T1C-A
CEL
HJ-FET NCH 13.5DB S02
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无图NE3512S02-T1C-A
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
NE3512 系列 2 - 18 Ghz +12 至 +18dBm 假晶异质结FET - SO-2
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NE3512S02-T1C-A|CELNE3512S02-T1C-A
CEL
HJ-FET NCH 13.5DB S02
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CEL - NE3512S02-T1C-A - HJ-FET NCH 13.5DB S02
CEL
HJ-FET NCH 13.5DB S02

详细描述:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02

型号:NE3512S02-T1C-A
仓库库存编号:NE3512S02-T1C-ACT-ND
别名:NE3512S02-T1C-ACT <br>

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