型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3512S02-T1C-A 库存编号:NE3512S02-T1C-ACT-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
NE3512S02-T1C-A 库存编号:NE3512S02-T1C-ADKR-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 1起订 | 1+ | ¥18.94 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
NE3512S02-T1C-A 库存编号:NE3512S02-T1C-ATR-ND | California Eastern Laboratories (CEL) | RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02 | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
NE3512S02-T1C-A 库存编号:2156-NE3512S02-T1C-A-ND | Rochester Electronics LLC | RF MOSFET HFET 2V S02 | 0 377起订 | 377+ | ¥9.97 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3512S02-T1C-A 库存编号:86132103 | Renesas Electronics Corporation | Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.07A 4-Pin Case S-02 T/R | 4750 392起订 | 392+ | ¥12.85 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NE3512S02-T1C-A | Renesas Electronics Corporation | RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1-ELEMENT, KU BAND, SILICON, N-CHANNEL, HETERO-JUNCTION FET | 953 1起订 | 1+ 67+ 341+ | ¥23.08 ¥10.77 ¥9.62 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NE3512S02-T1C-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS: Compliant | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | NE3512S02-T1C-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3512 系列 2 - 18 Ghz +12 至 +18dBm 假晶异质结FET - SO-2![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | NE3512S02-T1C-A CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | NE3512S02-T1C-A CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES | NE3512 系列 2 - 18 Ghz +12 至 +18dBm 假晶异质结FET - SO-2![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | NE3512S02-T1C-A CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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CEL HJ-FET NCH 13.5DB S02 详细描述:RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02 型号:NE3512S02-T1C-A 仓库库存编号:NE3512S02-T1C-ACT-ND 别名:NE3512S02-T1C-ACT <br> | 无铅 | 搜索 |